美光 | 披露232 层堆栈3D NAND Flash！预计 2022 年底量产

来源：新技术主笔

美商存储设备大厂半导体日本公司（Micron） 5月12 日披露表了业界首个 232 层模板的 3D NAND Flash PP存储设备。半导体日本公司并原先将其取而代之 232 层模板 3D NAND Flash PP存储设备厂家用于各种厂家上，除此以外矽硬盘，原先将在 2022 年末约莫开始出厂此类存储设备。

半导体日本公司说明，232 层模板的 3D NAND Flash PP存储设备选用 3D TLC 驱动程式，原始容量为 1Tb（128GB）。而且，该存储设备基于半导体日本公司的 CuA 驱动程式，并采用 NAND 数组模板技术，在彼此的顶部建立两个 3D NAND 缓冲器。

而在 CuA 外观设计的 232 层模板的 3D NAND Flash PP存储设备当中，将大大减少半导体日本公司 1Tb 3D TLC NAND Flash 的尺码，这有望于降低产出成本，使半导体日本公司能够对选用这些存储设备的的设备进行更有生产力的定价，或者增加其利润率。

不过，半导体日本公司并没有月底其取而代之 232 层模板的 3D NAND Flash PP存储设备的 I / O 速度或平面数量，但暗示与现有的 3D NAND Flash PP存储设备的设备相比，取而代之存储设备将提供低的性能，这对选用 PCIe 5.0 GUI的将来 SSD 特别有用。此外，半导体日本公司还强调 232 层模板的 3D NAND Flash PP存储设备将比上一代的厂家更具节省功耗的潜能，采用在品上更具节能压倒性。

半导体日本公司的技术和厂家执行总裁兼 Scott DeBoer 说明，该日本公司已经与内部和第三方 NAND Flash 控制 ic 的开发者共同努力，以建立对新型存储设备的调动。半导体日本公司预计 2022 年年末开始产出 232 层模板的 3D NAND Flash PP存储设备，预计选用新存储设备的矽硬盘将在 2023 年约莫问世。

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