三星将在下半年推出 200 层 + NAND 闪存，数据传输速度提高 30%

品玩2月底9日讯，据 businesskorea 报导，惠普原计划在 2021 年末开始量产 176 层 NAND，但直接影响零售商情况，顺延到了 2022 年第一季度。不过旧金山的三星现在开始量产 176 层 NAND，此番得出，惠普将更快 200 层以上 NAND 闪存量产的步伐，以击退被三星救回的技术领先地位。

此番称，惠普将在 128 层的单片存储器上叠加 96 层，推出 224 层的 NAND 闪存。与 176 层相比，224 层 NAND 闪存的生产效率和信息传输速度将提高 30%。